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高温MOCVD反应腔系统单一来源征求意见公示
2018年02月01日   审核人:

西安电子科技大学微电子学院高温MOCVD反应腔系统采购项目采用单一来源方式采购,该项目拟由全波激光芯片技术有限公司提供(或承担)。现将有关情况向潜在采购供应商征求意见。征求意见期限从201821日至 201827日 止。  

潜在采购供应商对公示内容有异议的,请于公示期满后一个工作日内以实名书面(包括联系人、地址、联系电话)形式将意见反馈至西安电子科技大学监察室(联系电话:029-81891725,电子邮箱Xdjw@mail.xidian.edu.cn),以及采购人西安电子科技大学采购与招标管理办公室(联系电话:029-81891081,电子邮箱:xdcgbm-s@xidian.edu.cn)。

                          201821

采购理由:

宽禁带氮化物半导体材料与电子器件已经进入了工程化阶段,氮化物材料MOCVD外延反应腔系统的密闭性气流和温度调控的均匀性等直接决定了外延材料的结晶质量和均匀性。高温MOCVD氮化物反应腔系统的更新与换代是保障学校承担的国家重大专项研制任务顺利完成必不可少的基本条件。

微电子学院目前具有的Aixtron 高温MOCVD反应腔系统老化,急需重新购置反应腔系统对设备进行升级。由于经费限制,无法在预算内直接从Aixtron公司购置配套的反应腔系统。目前全波激光芯片技术有限公司储备有Aixtron 高温MOCVD反应腔系统,该公司在MOCVD设备装配和调试方面具有丰富的经验,在经费预算内可以满足学校设备的更新需求。并能提供较完备的售后技术服务。

 

 

 

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